真空離子鍍膜設備是通過對熱量以及來自等離子體的能量的利用，在真空環境中將金屬蒸發，使其與反應性氣體結合，然后將其用于轟擊基材，終成膜。比之傳統的浸泡鍍膜，它有優越的耐磨性和粘附性。

　　對于壓力在10??Pa~10??Pa范圍內的真空離子鍍膜設備的設計結構有以下要求：

　　1、電阻值。根據GB/T 11164一99標準中的規定，來決定真空室所接不同電位間的絕緣電阻值的大小。

　　2、離子轟擊電源。離子鍍膜機通常具有基材負偏壓和離子轟擊電源，離子轟擊電源應具備將非正常放電有效抑制的功能，以達到穩定的工作狀態。

　　3、基材架。基材架與真空室體之間應有絕緣設計，基材架的設計要考慮基材鍍制的膜層均勻問題。

　　4、加熱系統。加熱系統需要合理的布置，加熱器結構布局要考慮到基材的溫升均勻問題。

　　5、沉積源。設計離子鍍沉積源要充分考慮鍍膜過程中的離化率問題，將離化率盡可能地提高，同時提高了靶材利用率。沉積源的功率要合理匹配，沉積源在真空室體的位置同樣需要合理的布置。

　　6、觀察窗結構。真空鍍膜室設有觀察窗，在此觀察窗上設置擋板。要求觀察窗可觀察到沉積源以及其他關鍵部位的工作狀態。

　　7、蒸汽與油的捕集。若設備使用的抽氣系統是以擴散泵為主泵，則要合理設置油蒸氣捕集阱。

　　8、屏蔽與測量裝置。真空測量規管安裝于低真空和高真空管道上及真空鍍膜室上，可分別各部位的真空度進行測量。若電場干擾了測量，應安裝電場屏蔽裝置于測量口處，用以阻截該電場。

　　9、密封裝置的結構。根據GB/T 6070標準中的規定，來決定設備中的真空管道、密封圈、密封法蘭等裝置的結構型式。

　　標簽：多弧鍍膜電源